我國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模情況及產(chǎn)量統(tǒng)計(jì)分析

    IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

    構(gòu)成本土 IGBT 市場(chǎng)需求主體主要為智能電網(wǎng)、高鐵建設(shè)、電機(jī)節(jié)能與家電節(jié)能這四大領(lǐng)域。中國(guó)在智能電網(wǎng)與高鐵建設(shè)領(lǐng)域擁有國(guó)際領(lǐng)先技術(shù)，這些領(lǐng)域?qū)?IGBT國(guó)產(chǎn)化需求迫切，而這種國(guó)產(chǎn)化突破更包含了 IGBT 技術(shù)的突破（該領(lǐng)域 IGBT 技術(shù)壁壘最高）。家電節(jié)能以空調(diào)、冰箱與洗衣機(jī)為主，這些領(lǐng)域中國(guó)家電企業(yè)已經(jīng)具備一定的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，更為 IGBT 國(guó)產(chǎn)化掃清了認(rèn)知障礙。因此，龐大的市場(chǎng)基礎(chǔ)與需求方對(duì) IGBT 技術(shù)國(guó)產(chǎn)化的迫切需求共同推動(dòng)中國(guó)本土企業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新，加速我國(guó) IGBT 國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程：

    博思數(shù)據(jù)發(fā)布的《2017-2022年中國(guó)IGBT功率模塊市場(chǎng)深度調(diào)研與投資前景研究報(bào)告》，我國(guó)IGBT行業(yè)發(fā)展至今，已取得較大進(jìn)展，雖然仍需大量進(jìn)口，但已有一部分企業(yè)具備規(guī)�；�生產(chǎn)能力。2010年我國(guó)IGBT功率電器模塊產(chǎn)量為190萬(wàn)只，2015年增長(zhǎng)至498萬(wàn)只。

2010-2015年我國(guó)IGBT功率電器產(chǎn)量（萬(wàn)只）

資料來(lái)源：資料整理

    我國(guó)IGBT技術(shù)取得一定突破，應(yīng)用需求巨大。IGBT芯片技術(shù)方面，中國(guó)南車建成全球第二條、國(guó)內(nèi)首條8英寸IGBT芯片專業(yè)生產(chǎn)線，具備年產(chǎn)12萬(wàn)片芯片、并配套形成年產(chǎn)100萬(wàn)只IGBT模塊的自動(dòng)化封裝測(cè)試能力，芯片與模塊電壓范圍實(shí)現(xiàn)從650V到6500V的全覆蓋。去年成功實(shí)現(xiàn)首批8英寸1700V IGBT芯片下線，8英寸3300V芯片已完成試制與測(cè)試，6500V芯片也已研發(fā)出合格樣品。IGBT模塊技術(shù)方面，封裝IGBT模塊所用芯片大多由英飛凌、ABB等國(guó)外公司提供，只有極少量的芯片由國(guó)內(nèi)生產(chǎn)，國(guó)產(chǎn)IGBT芯片年產(chǎn)值不到1億元。但我國(guó)卻是全球最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)，占全球市場(chǎng)的40%以上，未來(lái)一段時(shí)期仍將保持15%以上的速度增長(zhǎng)，市場(chǎng)潛力巨大。其中，我國(guó)IGBT消費(fèi)市場(chǎng)目前約80億元的規(guī)模（全球市場(chǎng)約300億元），到2020年可能達(dá)到300億元的規(guī)模。

    在新能源、節(jié)能環(huán)保“十二五”規(guī)劃等一系列國(guó)家政策措施的支持下，國(guó)內(nèi)IGBT的發(fā)展獲得巨大的推動(dòng)力，市場(chǎng)持續(xù)快速增長(zhǎng)。2015年，國(guó)內(nèi)IGBT市場(chǎng)規(guī)模達(dá)94.8億元。近幾年我國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模情況如下圖所示：

2008-2015年我國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模情況
 

資料來(lái)源：資料整理

    IGBT一方面擁有新技術(shù)帶來(lái)的廣闊的市場(chǎng)空間，另一方面從技術(shù)發(fā)展路線來(lái)看又對(duì)以往的功率器件有一個(gè)逐步替代的作用。目前我國(guó)IGBT市場(chǎng)占整個(gè)功率器件市場(chǎng)份額尚不足10%，預(yù)計(jì)未來(lái)幾年IGBT市場(chǎng)隨著節(jié)能減排的推進(jìn)將得到快速發(fā)展。未來(lái)IGBT模塊在以下幾個(gè)領(lǐng)域?qū)��?huì)有較大的突破。