2018-2023年中國三氟化氮(NF3)市場分析與投資前景研究報(bào)告

報(bào)告說明:
    博思數(shù)據(jù)發(fā)布的《2018-2023年中國三氟化氮(NF3)市場分析與投資前景研究報(bào)告》介紹了三氟化氮(NF3)行業(yè)相關(guān)概述、中國三氟化氮(NF3)產(chǎn)業(yè)運(yùn)行環(huán)境、分析了中國三氟化氮(NF3)行業(yè)的現(xiàn)狀、中國三氟化氮(NF3)行業(yè)競爭格局、對中國三氟化氮(NF3)行業(yè)做了重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營狀況分析及中國三氟化氮(NF3)產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景與投資預(yù)測。您若想對三氟化氮(NF3)產(chǎn)業(yè)有個系統(tǒng)的了解或者想投資三氟化氮(NF3)行業(yè)，本報(bào)告是您不可或缺的重要工具。
    三氟化氮在常溫下是一種無色、無臭、性質(zhì)穩(wěn)定的氣體，是一種強(qiáng)氧化劑。三氟化氮在微電子工業(yè)中作為一種優(yōu)良的等離子蝕刻氣體，在離子蝕刻時裂解為活性氟離子，這些氟離子對硅和鎢化合物，高純?nèi)�氟化氮具有�?yōu)異的蝕刻速率和選擇性（對氧化硅和硅），它在蝕刻時，在蝕刻物表面不留任何殘留物，是非常良好的清洗劑，同時在芯片制造、高能激光器方面得到了大量的運(yùn)用。
    nf3，第2.2類有毒氣體，在空氣中的最高允許含量為29mg/m3。

報(bào)告目錄：
第 一章 三氟化氮產(chǎn)品概述
1.1 電子特種氣體——三氟化氮概述
1.2 三氟化氮的產(chǎn)業(yè)與市場簡述
1.2.1三氟化氮的應(yīng)用領(lǐng)域
1.2.2三氟化氮的市場簡況
1.2.3 三氟化氮的產(chǎn)業(yè)簡況
1.3 三氟化氮行業(yè)的特點(diǎn)
1.3.1 行業(yè)興衰與半導(dǎo)體、光伏、液晶顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展有著關(guān)系密切
1.3.2 三氟化氮產(chǎn)品優(yōu)勢得到發(fā)揮
1.3.3 市場壟斷性強(qiáng)
1.3.4 近年全球三氟化氮應(yīng)用市場在迅速擴(kuò)大
1.4 在當(dāng)前環(huán)境保護(hù)要求的形勢變化下三氟化氮產(chǎn)品趨勢預(yù)測成為變數(shù)
1.4.1 三氟化氮成為氣候變化新威脅UNFCC已將其列入“監(jiān)管”氣體之中
1.4.2 三氟化氮替代產(chǎn)品得到發(fā)展
 
第二章 電子特種氣體、氟化工品應(yīng)用市場
2.1 電子特種氣體概述
2.2 電子特種氣體制造中的主要技術(shù)方面
2.3 電子特種氣體的純凈度要求
2.4 電子特種氣體產(chǎn)品市場競爭的焦點(diǎn)問題
2.4.1 對電子特種氣體雜質(zhì)、純度要求的問題
2.4.2 氣體配送及供應(yīng)問題
2.4.3 儲存、使用中的安全性問題
2.4.4 成本性問題
2.5 國內(nèi)外電子特種氣體行業(yè)發(fā)展概述
2.5.1 境外電子特種氣體生產(chǎn)與市場情況
2.5.2 國內(nèi)電子特種氣體行業(yè)及其發(fā)展
2.6 氟化工產(chǎn)業(yè)概述
2.6.1 氟化工產(chǎn)業(yè)中的重要產(chǎn)品
2.6.2 我國氟化工產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況
 
第三章 三氟化氮的主要特性
3.1 物理特性
3.2 毒性及危險(xiǎn)性
3.3 反應(yīng)性
3.4 相關(guān)的安全性
3.5 主要性能及標(biāo)準(zhǔn)
3.5.1 對純度的一般質(zhì)量指標(biāo)要求
3.5.2 美國氣體及化學(xué)產(chǎn)品公司的NF3的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)及產(chǎn)品不同等級標(biāo)準(zhǔn)要求
3.5.3 SEMI的三氟化氮標(biāo)準(zhǔn)
3.5.4 三氟化氮 我國國家標(biāo)準(zhǔn)（GB/T 21287-2011）
 
第四章 三氟化氮的主要生產(chǎn)工藝方法
4.1 NF3的制備方法
4.1.1 概述
4.1.2 直接化合法
4.1.3 氟和氟化氫銨法
4.1.5 電解法
4.2 NF3粗品純化工藝加工
4.2.1 NF3粗品純化工藝法的種類
4.2.2 低溫精餾法
4.2.3 化學(xué)吸收法
4.2.4 化學(xué)轉(zhuǎn)化法
4.2.5 選擇吸附法
4.3 安全生產(chǎn)的問題
4.4 在半導(dǎo)體晶元工廠的供應(yīng)系統(tǒng)
 
第五章 三氟化氮的主要應(yīng)用領(lǐng)域概述
5.1 概述
5.2 三氟化氮在集成電路中的應(yīng)用
5.2.1 集成電路芯片制程
5.2.2 化學(xué)氣相沉積和氣體應(yīng)用
5.3 作為清洗劑、刻蝕劑在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用
5.3.1 替代PFC作為清洗劑
5.3.2 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）
5.3.3 在PECVD的干刻蝕、清洗加工中的應(yīng)用
5.3 三氟化氮在液晶顯示器中的應(yīng)用
5.4 高純NF3在薄膜硅太陽電池中的應(yīng)用
5.4.1 非晶硅薄膜太陽能電池
5.4.2 Si薄膜的材料特性
5.4.3 非晶硅薄膜太陽能電池制作工藝及高純硅烷其應(yīng)用
5.5 用三氟化氮作氟化劑
5.5.1 六氟化鎢的理化性質(zhì)及用途
5.5.2 NF3是制造WF6
5.5.3 世界WF6 的生產(chǎn)現(xiàn)況
5.5.4 國內(nèi)生產(chǎn)WF6的情況
5.6 三氟化氮作為氟源在化學(xué)激光器中應(yīng)用
5.7 NF3在IC和TFT-LCD應(yīng)用市場擴(kuò)展的三階段
5.8 NF3在不同應(yīng)用領(lǐng)域中應(yīng)用量的比例
 
第六章 世界及我國NF3的半導(dǎo)體市場運(yùn)營狀況分析與分析
6.1 世界半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)與市場發(fā)展
6.1.1 世界半導(dǎo)體生產(chǎn)的現(xiàn)況
6.1.2 世界半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)狀況
6.2 我國半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)與市場現(xiàn)況與發(fā)展
6.2.1 我國集成電路市場、產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
6.2.2 我國集成電路晶圓制造業(yè)情況
6.2.3 我國集成電路晶圓主要生產(chǎn)廠家情況
 
第七章 世界及我國NF3的液晶顯示器市場運(yùn)營狀況分析與分析
7.1 世界平板顯示器產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)況
7.2 我國平板顯示器產(chǎn)業(yè)現(xiàn)況與未來發(fā)展預(yù)測
7.2.1 我國液晶顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展概述
7.2.2 我國LCD面板生產(chǎn)現(xiàn)況與未來幾年發(fā)展預(yù)測
7.2.3 我國發(fā)展平板顯示產(chǎn)業(yè)的相關(guān)政策及未來發(fā)展的預(yù)測、分析
 
第八章 世界及我國NF3的薄膜硅太陽電池市場運(yùn)營狀況分析與分析
8.1 國內(nèi)外光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展
8.1.1 世界光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展
8.1.2 我國光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境與現(xiàn)況
8.2 薄膜太陽能電池的生產(chǎn)與市場
8.2.1 薄膜太陽能電池特點(diǎn)及品種
8.2.2 薄膜太陽能電池未來市場趨勢預(yù)測
8.2.3 薄膜太陽能電池生產(chǎn)及在光伏市場上的份額變化
8.3 國內(nèi)外薄膜太陽能電池的主要生產(chǎn)企業(yè)
8.3.1 境外薄膜太陽能電池生產(chǎn)廠家概況
8.3.2 國內(nèi)薄膜太陽能電池生產(chǎn)廠家概況
 
第九章 世界NF3的生產(chǎn)現(xiàn)狀與發(fā)展
9.1 概述
9.2 世界三氟化氮生產(chǎn)現(xiàn)況
9.3 美國的NF3生產(chǎn)現(xiàn)狀與廠家
9.3.1 美國AP公司
9.3.2 杜邦公司
9.4 日本的NF3生產(chǎn)現(xiàn)狀與廠家
9.4.1 關(guān)東電化工業(yè)公司
9.4.2 三井化學(xué)公司
9.4.3 中央玻璃公司
9.5 韓國的NF3生產(chǎn)現(xiàn)狀與廠家
9.5.1 AP公司韓國蔚山分廠
9.5.2 韓國SODIFF新素材有限公司
9.6 臺灣的NF3生產(chǎn)現(xiàn)狀與廠家
 
第十章 我國國內(nèi)NF3的生產(chǎn)現(xiàn)狀與發(fā)展
10.1 國內(nèi)NF3生產(chǎn)的發(fā)展
10.2 國內(nèi)NF3生產(chǎn)需求市場
10.3 國內(nèi)NF3的主要生產(chǎn)廠家
10.3.1 國內(nèi)NF3的生產(chǎn)廠家概述
10.3.2 中核紅華特種氣體股份有限公司
10.3.3 湖北沙隆達(dá)天門農(nóng)化有限責(zé)任公司
10.3.4 中國船舶重工集團(tuán)第七一八研究所
10.3.5 其它廠家
10.4 國內(nèi)與NF3氣體相關(guān)的科研、協(xié)會機(jī)構(gòu)
附件：中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)：《電子工業(yè)用三氟化氮 》（GB/T21287-2011）
 
圖表目錄：
圖2-1 半導(dǎo)體制造業(yè)用特種氣體按其使用時的特性分類情況
圖2-2 全球半導(dǎo)體工業(yè)用主要幾種高純度氣體的市場規(guī)模變化情況
圖2-3 氟化工產(chǎn)業(yè)鏈的構(gòu)成情況
圖3-1 NF3分子結(jié)構(gòu)圖
圖3-2 SEMI標(biāo)準(zhǔn)中NF3中 CF4、CO2、N2O、SF6和 CO 的分析流程圖
圖4-1 氣-固反應(yīng)器圖
圖4-2 氣-液反應(yīng)器圖
圖4-3 氣-液反應(yīng)法的生產(chǎn)流程圖
圖4-4 電解槽結(jié)構(gòu)圖
圖4-5 低溫精餾過程示意圖
圖4-6 色譜分離氣體流程圖
圖4-7 典型半導(dǎo)體晶元工廠的特氣供應(yīng)系統(tǒng)流程圖
圖5-1 三氟化氮的主要應(yīng)用領(lǐng)域
圖5-2 IC硅片制造前工程的過程
圖5-3 各種CVD法反應(yīng)裝置的原理
圖5-4 PECVD裝置
圖5-5 三氟化氮在半導(dǎo)體芯片加工制造環(huán)節(jié)中的應(yīng)用示意圖
圖5-6 TFT 陣列構(gòu)成
圖5-7 等離子體CVD加工工序及SiH4等電子特氣的供應(yīng)系統(tǒng)
圖5-8 所示了采用等離子體CVD法制作TFT陣列的實(shí)際裝備例
圖5-9 TFT 陣列形成過程及NF3在采用等離子體CVD法形成TFT 陣列形成中作用
圖5-10 Si基薄膜的種類、特征及晶體結(jié)構(gòu)
圖5-11 Si基薄膜太陽能電池的基本結(jié)構(gòu)
圖5-12 非晶硅薄膜太陽能電池制作工藝過程
圖5-13 NF3不同應(yīng)用領(lǐng)域中應(yīng)用量的比例
圖6-1 2012-2017全球半導(dǎo)體市場規(guī)模和年增幅統(tǒng)計(jì)預(yù)測
圖6-2 世界不同直徑尺寸硅片市場發(fā)展趨勢
圖6-3 2012-2017年全球硅片出貨量變化率